ASTM F 617-1991 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)线性临界电压的试验方法
作者:标准资料网
时间:2024-05-16 09:39:01
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【英文标准名称】:TestMethodforMeasuringMOSFETLinearThresholdVoltage
【原文标准名称】:测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)线性临界电压的试验方法
【标准号】:ASTMF617-1991
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1991
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:电子工程;测量;电压
【英文主题词】:electronicengineering;measurement;voltage
【摘要】:
【中国标准分类号】:L42
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:6P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)线性临界电压的试验方法
【标准号】:ASTMF617-1991
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1991
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:电子工程;测量;电压
【英文主题词】:electronicengineering;measurement;voltage
【摘要】:
【中国标准分类号】:L42
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:6P;A4
【正文语种】:英语
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